第二证券英特尔，“重返”DRAM？

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近日，研究机构桑迪亚国家实验室（Sandia National Laboratories）的一则报道引发了行业热议。

报道指出，该实验室与在内存技术领域取得了重大进展，其共同开展的“先进内存技术”（AMT）项目成功将DRAM相关研发成果转化为新型内存技术，旨在解决美国国家核安全管理局（NNSA）关键任务中的内存带宽与延迟难题。

这一消息让“英特尔是否会重返DRAM赛道”的猜想浮出水面。

虽然这则新闻并未明确宣告英特尔将大规模重返独立DRAM制造市场，但其中释放的信号却值得玩味。尤其是结合英特尔的历史积淀，且当前DRAM行业正处于AI超级周期带动的上涨通道之中，这一动向更显微妙。

这个曾经的存储霸主，“重返”的可能性正变得愈发值得探讨。

存储巨头的浮沉

英特尔与DRAM的渊源可以追溯到行业起步之初。

1970年，英特尔推出1103芯片，这是全球首款商业成功的DRAM产品，凭借在价格、密度和逻辑兼容性上对磁芯存储器的全面超越，迅速改写了存储行业的格局。

英特尔在上世纪70年代一度占据全球DRAM市场90%的份额，成为了无可争议的行业龙头。

当时，1103芯片不仅赢得了HP、DEC、霍尼韦尔等主流计算机厂商的青睐，更确立了DRAM的发展模式，为后续技术演进奠定了基础。

然而，DRAM行业的周期性与市场竞争的残酷性，让英特尔的霸主地位未能延续。80年代，日本厂商借助政府支持、卓越制造良率和激进定价策略崛起，NEC、东芝等企业迅速抢占市场份额，1987年全球十大DRAM供应商中有七家来自日本，英特尔因成本劣势陷入巨额亏损，最终在1985年宣布退出DRAM业务，转向CPU领域。这一决策被《经济学人》称为“半导体史上最重大的战略转向”。

此后数十年，全球DRAM格局历经韩国厂商崛起、行业整合，最终形成了三星、SK海力士、美光三大巨头垄断95%以上市场份额的寡头格局。

众所周知，存储行业具有强周期性特征，通常每4-5年经历一轮剧烈的供需波动。在经历2021年末至2023年的超级周期性低迷后，生成式AI的爆发彻底改变了需求格局。

如今，DRAM行业正迎来新一轮结构性机遇。AI工作负载对内存带宽和容量的极致需求，推动数据中心HBM和DRAM需求爆炸式增长，存储行业正迎来前所未有的超级周期。

据TrendForce集邦咨询预测，2026年一季度，受原厂产能向Server、HBM应用转移影响，一般型DRAM合约价将季增55-60%，Server DRAM价格季增逾60%，整个市场呈现供不应求的繁荣态势。市场研究显示，2025年DRAM行业营收将恢复至千亿美元级别，2029年有望达到1500亿美元，数据中心和汽车应用将成为核心驱动力，复合年增长率分别高达25%和38%。

在这样的行业风口，以及英特尔正面临的CPU市场受挤压、代工业务亏损、AI芯片滞后的多重压力之下，寻找新的增长曲线或许成为其迫切需求。

AMT项目：

揭开英特尔\"重返\"DRAM的面纱

其中，桑迪亚国家实验室与英特尔的合作，为这场猜想提供了最直接的技术佐证。

据了解，作为后百亿亿次级计算计划的一部分，AMT项目由桑迪亚国家实验室牵头，联合劳伦斯·利弗莫尔国家实验室、洛斯阿拉莫斯国家实验室与英特尔共同推进第二证券，前两轮合作聚焦研发，第三轮已进入产品化阶段，早期投资正逐步转化为实际成果。

英特尔在该项目中推出的下一代DRAM键合（NGDB）计划，展现了颠覆性的技术思路。不同于传统内存架构，NGDB采用全新的内存组织方式与堆叠组装方法，在显著提升DRAM性能的同时，实现了功耗降低与成本优化。

更关键的是，它打破了HBM与DDR DRAM之间的性能权衡，解决了当前高带宽内存普遍存在的“以容量换带宽”的痛点，让更多应用场景能够享受到高带宽内存的优势。桑迪亚国家实验室首席技术人员格温·沃斯库伦直言：“这项技术将促使高带宽存储器在受限于容量和功率的系统中得到更广泛应用。”

从技术细节来看，英特尔已开发出新型堆叠方法和DRAM组织结构，原型产品不仅克服了现有技术的内存容量限制，更实现了功能性验证，证实了该技术大规模生产的可行性。

英特尔政府技术首席技术官Joshua Fryman强调：“标准内存架构无法满足人工智能的需求，NGDB定义了全新方法，将加速我们迈向下一个十年。”而英特尔院士Josh Fryman的表态更具深意：“我们正在重新思考DRAM的组织方式，从根本上推进计算机系统架构，目标是实现数量级的性能提升，并将创新纳入行业标准。”

这些技术突破与战略表述，无不暗示着英特尔在DRAM领域的野心绝非短期试水，而是着眼于长期行业布局。

Saimemory低功耗革命，

重新杀回存储赛道

如果说与桑迪亚国家实验室的合作是前沿技术层面的铺垫，那么英特尔与软银集团的联手，则可以认为是其在DRAM赛道实质性推进的重要一步，展现出更清晰的商业化路径。

2024年末，英特尔与日本软银宣布成立合资公司Saimemory，携手东京大学、日本理研等机构，以“低功耗存储革命者”的姿态，瞄准AI时代的存储痛点，致力于开发替代HBM的堆叠式DRAM解决方案。

当前，AI处理器高度依赖HBM芯片，但HBM存在制程复杂、成本高昂、功耗大、易发热等固有缺陷，且市场被三星、SK海力士、美光三大厂商垄断，供应持续吃紧。

Saimemory的核心使命正是打破这一格局：通过垂直堆叠多颗DRAM芯片，结合英特尔的EMIB桥接技术优化互连方式，实现存储容量较现行先进存储器翻倍（目标单芯片512GB）、功耗降低40%-50%，量产成本仅为HBM的60%。这一路线避开了HBM依赖的硅通孔复杂工艺，更侧重架构优化与能效突破。

与三星、NEO Semiconductor等企业聚焦容量提升的3D堆叠DRAM技术不同，Saimemory直击AI数据中心电力成本高企的核心痛点，其技术路径兼容现有AI处理器接口，无需大规模硬件改造，显著降低了客户迁移成本。

在资源投入方面，该项目总投资预计达100亿日元（约合 7000 万美元），软银初期注资30亿日元成为最大股东并承诺优先采购，富士通、新光电气工业等参与投资，日本政府更计划提供超50亿日元补贴，凸显了日本重振半导体存储器产业的深层诉求，背后暗含日本重振半导体产业的战略诉求。按照规划，Saimemory将在2027年前完成原型设计与量产评估，力争2030年前实现商业化，优先供应软银筹建的AI训练数据中心。

这一合作对英特尔而言，既是IDM 2.0战略的延伸，也是技术资源的二次激活。通过开放芯片堆叠、封装等核心技术，英特尔试图在存储领域重建生态影响力，而非单纯依赖自有制造能力。尽管面临HBM巨头的专利壁垒、代工良率控制、生态协同不足等挑战，但Saimemory低功耗替代的差异化路线已展现出破局潜力，有望在边缘计算、中小型AI服务器等场景形成独特竞争力，甚至引发存储行业的技术路线分流。

综合来看，这种“资本+技术”的强强联合，展示了英特尔以另一种形式深度介入高端DRAM市场的野心。

保留eDRAM的技术火种

在DRAM主线布局之外，英特尔在eDRAM（嵌入式DRAM）领域的技术积累，为其重返存储赛道提供了另一重支撑。

eDRAM作为将DRAM单元直接集成在处理器芯片上的存储技术，凭借低延迟、高带宽、高密度的特性，被业界视为弥补GPU与内存之间“内存墙”的有效手段之一，如今正重新成为行业关注的焦点。

相较于SRAM，eDRAM存储单元结构更简单（1T-1C结构），单位容量成本更低，相同芯片面积下容量可达SRAM的6倍左右；相较于传统DRAM，其数据传输路径更短，延迟和功耗优势显著。

英特尔在eDRAM领域早有深耕。

早在十多年前的Haswell、Broadwell处理器时代，英特尔就曾在高端处理器中集成128MB eDRAM作为L4缓存，显著提升了核显性能。

例如，在2013年的Haswell架构处理器中，高端核显Iris Pro Graphics就集成了128MB eDRAM作为L4缓存，通过封装内I/O（OPIO）接口实现了1W功耗下102.4GB/s的读写速度，显著提升了图形处理性能。

此后，英特尔的Broadwell架构桌面版进一步沿用这一设计，128MB eDRAM L4缓存通过独立读写总线、多存储体设计等优化，实现36.6纳秒的加载延迟，在高带宽负载下展现出优异的稳定性。

在高性能计算领域，英特尔Xeon Phi处理器搭配16GB eDRAM，为科学计算、数据分析等任务提供了高效缓存支持。

英特尔虽然曾一度因制程成本考量放缓了eDRAM的步伐，但随着AI时代对极致性能的渴求，这项技术正重新回到其武器库的中心位置。

诚然，eDRAM的发展面临工艺集成复杂、刷新功耗、良率控制等多重挑战，但随着半导体工艺的进步，3D堆叠、新型电容材料等技术的应用正不断突破这些瓶颈，这些长期制约其发展的瓶颈正被逐一突破。当下，AI训练推理、高性能计算等场景对低延迟、高带宽存储的需求愈发迫切，这也让eDRAM在图形处理、嵌入式系统、边缘计算等领域的应用版图不断拓宽。而英特尔在eDRAM领域积淀的深厚技术储备，无疑成为其重返高端存储赛道的关键筹码，也为其提供了更具竞争力的技术选项与战略灵活性。

回望历史，除了在DRAM行业的早期辉煌之外，英特尔在NAND闪存领域也有过长期探索：2007年推出25纳米NAND推动SSD普及，2015年与美光联合发布3D XPoint技术并品牌化为“傲腾”，虽最终因商业化困境退出NAND业务、停产傲腾，但其在存储架构、芯片堆叠、先进封装、存储专利等方面的积累依然深厚，或许能为其如今重新布局DRAM业务打下关键基础。

尤其是在AI时代，内存不仅是容量与成本的游戏，更是性能、功耗与架构的综合性竞争。当前，AI驱动的存储产业变革正在重塑行业格局。DRAM行业的高增长预期、HBM市场的垄断痛点、eDRAM的技术复苏，为英特尔提供了重返存储赛道的绝佳契机。

从桑迪亚国家实验室的技术突破，到与软银联手的Saimemory项目，再到eDRAM领域的技术储备。目前英特尔在存储领域的动向更像是多点布局、试探风向：一方面通过国家实验室合作保持前沿技术参与，另一方面借合资项目探索替代性产品路径，同时内部仍保留着如eDRAM等集成化方案的技术火种。

然而，重返之路并非坦途，面对三星、SK海力士等巨头的技术垄断与生态壁垒，专利纠纷、良率控制、成本优化等现实挑战，以及自身过往商业化失利的教训，都将考验英特尔的战略决心与执行能力。

当前，“英特尔是否会正式重返DRAM赛道”仍无定论，但可以肯定的是，在存储技术愈发成为AI时代核心竞争力的大背景下，英特尔应该不会全然放弃这一关键领域的布局。

未来数年，无论英特尔最终是否以传统形式“重返DRAM”，其在存储领域频繁落子已是不争的事实。这位曾经的存储王者或许不会直接与三星、SK海力士等巨头在技术路线、产能规模上正面对抗，但在AI驱动的异构计算时代，它完全可能凭借架构创新与系统整合能力，在存储领域重新定义自己的角色。

正如一位行业分析师所言：“未来的存储竞争不再是单一的制程竞赛，而是架构、功耗、生态乃至地缘策略的复合博弈。”在这样的全新的多维战场之上，英特尔在存储领域的故事，或许才刚刚翻开新的一页。

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